سامسونگ و کوالکام روز چهارشنبه اعلام کردند که به منظور استمرار بخشیدن و گسترش همکاری‌های خود در عرصه‌ی نیمه‌هادی‌ها که سابقه‌ی ده ساله دارد، توافق جدیدی را امضا کرده‌اند که طی آن دو طرف در زمینه‌ی گسترش تراشه‌هایی با پشتیبانی از 5G و فناوری ساخت هفت نانومتری همکاری خواهند کرد. سیلیکونی که آن‌ها قصد تولید آن را دارند با استفاده از لیتوگرافی شدید ماورای بنفش ساخته خواهد شد. این فناوری که چند سالی است سامسونگ روی آن کار می‌کند می‌تواند باعث پیشی گرفتن این شرکت از TSMC در زمینه‌ی تولید تراشه با فناوری ساخت ۷ نانومتری شود.
بنابراین، اولین تراشه‌های 5G اسنپدراگون توسط کارخانه‌ی سامسونگ و با فناوری 5G و فرآیند فوق کم مصرف EUV تولید خواهند شد. هرچند هنوز بازه‌ی زمانی برای انجام این پروژه اعلام نشده است؛ این احتمال وجود دارد که ماژول‌ها تا اواخر سال ۲۰۱۸ به تولید انبوه برسند؛ چرا که کوالکام پیش‌تر وعده داده بود که پلتفرم‌های خود با پشتیبانی از نسل پنجم شبکه‌های ارتباطی را برای گوشی‌هایی که در اوایل سال ۲۰۱۹ معرفی می‌شوند آماده می‌کند. علاوه بر قابلیت 5G، قرار است این تراشه‌ها بهبودهای بی‌نظیری در عملکرد و مصرف انرژی را ارائه دهند. این امر به لطف فناوری هفت نانومتری LPP EUV سامسونگ محقق می‌شود. فناوری که به سامسونگ امکان استفاده از ترانزیستورهای بیشتر را می‌دهد. با این حساب، پردازنده‌ی اسنپدراگون جدید با پشتیبانی از 5G از لحاظ فیزیکی، کوچکتر از نسل‌های قبل خود خواهد بود. این در حالی است که تقریبا در تمام ویژگی‌ها بهبودهایی داشته و عملکرد بهتری را به نمایش خواهد گذاشت.
در مقایسه با فرایند finfet ده نانومتری که در تولید اسنپدراگون ۸۳۵، ۸۴۵، اگزینوس ۸۸۹۵ و ۹۸۱۰ (تراشه‌های گلکسی اس ۹) به کار رفته است، فرآیند ساخت هفت نانومتری LPP EUV بسیار ساده‌تر بوده و مراحل تولید کمتری را شامل می‌شود. از این رو، ضریب خطا در تولید آن به مراتب کمتر است و هزینه‌ی کمتری را نیز در بر دارد. در مقام مقایسه با فناوری ده نانومتری فین‌فت، فناوری جدید، ۳۵ تا ۴۰ درصد بهبود در مصرف باتری و ده درصد بهبود عملکرد را به همراه خواهد آورد. از آن‌جایی که چندی پیش گزارش‌ها از همکاری اسنپدراگون و TSMC برای تولید تراشه‌ی پرچمدار بعدی این شرکت خبر دادند، باید منتظر ماند و دید آیا فناوری مورد بحث در تولید اسنپدراگون ۸۵۵ به کار خواهد رفت یا خیر.